问答题
实用的等离子体刻蚀工艺必须满足哪些条件？
1.反应产物是挥发性的； 2.选择比率高； 3.刻蚀速率快； 4.具有好的终点灵敏性； 5.有好的各向异性刻蚀速率。
填空题 离子注入掺杂剂量偏差的原因主要来源于：（）、（）和可能的（）。 例如：当作28Si+注入时，可能有真空系统中剩余气体产生的（）也会同时注入。
填空题 Al栅CMOS的极限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工艺
填空题 为了降低台阶高度对金属互连线的影响，在沉积金属层前必须对圆片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉积的回流介质主要有：（）
