问答题
本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为n=Nexp（-Eg/2KT）：，式中N为状态密度，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试回答以下问题：
问答题 用能量的观点说明铁磁体内形成磁畴的原因。
问答题 自发磁化的物理本质是什么？材料具有铁磁性的充要条件是什么？
问答题 为什么碳化硅的电容光焕发率与其折射率的平方n2相等。
