单项选择题 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

单项选择题 刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

单项选择题 浸入式光刻技术可以使193nm光刻工艺的最小线宽减小到45nm以下。它通过采用折射率高的液体代替透镜组件间的空气，达到（）的目的。