问答题
硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？
从硅气相外延工艺原理可知，硅外延生长的表面外延过程是外延剂在衬底表面被吸附后分解出Si原子，他迁移到达结点位置停留，之后......
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问答题 比较硅单晶锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点？
问答题 从短期看，太阳能电池的发展趋势怎样？
问答题 写出单晶硅太阳能电池的主要工艺。
