单项选择题 主存的实际结构如图所示，根据MAR中的地址访问某个存储单元时，需经过地址译码、驱动等电路，才能找到所需访问的单元。读出时，需经过读出放大器，才能将被选中单元中存储字送到MDR。写入时，MDR中的数据也必须经过写入电路才能真正写入到被选中的单元中。在现代计算机中，通常会将图中的（）制作在CPU芯片中。

单项选择题 随机存储器按其存储信息的原理不同，可以分为静态RAM和动态RAM两大类。动态RAM基础电路有三管式和单管式两种，它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息。若电容上存有足够多的电荷表示存“1”，电容上无电荷表示存“0”。电容上的电荷一般只能维持1~2ms，因此即使电源不掉电，信息也会自动消失。为此，必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态，这个过程称为再生或刷新。动态RAM的刷新有集中刷新，分散刷新，异步刷新之分。集中刷新是在规定的一个刷新周期内，对全部单元集中一段时间逐行进行刷新，刷新时必须停止读/写操作。在一个刷新周期内不能进行读/写操作的时间称为“死时间”，又称为“死区”，其所占的比率称为“死时间率”。某动态RAM的刷新时间分配示意图如下，它的刷新方式为（），死时间率是（）

单项选择题 随机存储器按其存储信息的原理不同，可以分为静态RAM和动态RAM两大类。下图是静态RAM芯片Interl2114的外特征示意图。图中，A9~A0为地址输入端；I/01~I/O4为数据输入/输出端；CS为片选信号（低电平有效）；WE为写允许信（低电平为写，高电平为读）；Vcc为电源端；GND为接地端。由Intel2114的外特征图，我们可知其存储容量为（）