多项选择题
ICP中等离子体环状结构形成的原因是（）。
A.高频电流的趋肤效应B.内管栽气的气体动力学作用C.高频发生器D.三层炬管E.单层炬管
多项选择题 ICP-AES法中检出限高低取决于（）。
多项选择题 ICP光谱干扰包括（）。
多项选择题 空气-Ar-ICP的缺点是（）。
