问答题
请画出晶体管的ID—VDS特性曲线,指出饱和区和非饱和区的工作条件及各自的电流方程(忽略沟道长度调制效应和短沟道效应)。
问答题 为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分(不考虑沟道调制效应)?
问答题 什么是沟道长度调制效应,对器件有什么影响?
问答题 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应,并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。