问答题
比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。
砷化镓和磷化铟等衬底为半绝缘体，硅衬底为半导体。因此，硅衬底上电感有衬底损耗电阻和电容。
问答题 试述两种传输线电感，比较其优缺点。
问答题 利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。
问答题 集成电容主要有几种结构？
