判断题
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
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判断题 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
判断题 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
判断题 PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
