填空题

【参考答案】

沿晶体沟道注入离子的射程远大于随机方向注入离子射程的现象;硅片相对注入束偏转5-7°的注入角;表面生长氧化层;硅注入表面......

(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)