单项选择题
下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。
A.内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大 B.缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比 C.表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱 D.用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
单项选择题 漏磁场强度与下列（）有关。
单项选择题 被磁化的工件表面有一裂纹，使裂纹处吸引磁粉的原因是（）。
单项选择题 漏磁场与（）有关。
