填空题
半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。
P-N结隔离；介质隔离；沟槽隔离；低密度、低成本；介质；局部氧化（LOCOS）
填空题 免可控硅效应的方法从（）寄生管的总增益，以及消除寄生晶体管出发，主要有： 1. （）； 2. （）； 3. 使用可以吸收注入电荷的（）； 4. （）； 5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的产生。
填空题 闩锁效应（可控硅效应），是CMOS电路遇到的（）问题。在CMOS电路正常工作时，由于（）的突然被激发，器件电流突然（），甚至很快因Al（），使电路失效。
填空题 开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。
