black

半导体集成电路

登录

问答题

案例分析题

设计一个CMOS反相器, 
NMOS:VTN=0.6V  μNCOX=60uA/V2 
PMOS:VTP=-0.7V  μPCOX=25uA/V2    
电源电压为3.3V,LN=LP=0.8um

求VM=1.4V 时的WN/WP。

【参考答案】

相关考题

问答题 采用0.35um工艺的CMOS反相器,相关参数如下: VDD=3.3V NMOS:VTN=0.6V  μNCOX =60uA/V2   (W/L)N=8  PMOS:VTP=-0.7V  μpCOX =25uA/V2   (W/L)P=12  求电路的噪声容限及逻辑阈值。

问答题 考虑一个具有如下参数的CMOS反相器电路: VDD=3.3V  VTN=0.6V  VTP=-0.7V   KN=200uA/V2    Kp=80uA/V2  计算电路的噪声容限。

问答题 为什么的PMOS尺寸通常比NMOS的尺寸大?

All Rights Reserved 版权所有©在线考试题库网(zxkao.com)

备案号:湘ICP备14005140号-7

经营许可证号:湘B2-20140064