单项选择题
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是（）。
A.非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜 B.贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜 C.非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜 D.非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同 E.理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
单项选择题 14设置支托形式为（）。
单项选择题 3|4设计何种卡环（）。
单项选择题 选择最佳治疗方案（）。
