判断题
在热氧化过程的初始阶段，二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定，处于线性氧化阶段。
错误
判断题 用来制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。
问答题 列出几种常见封装的名称。
问答题 封装前的准备过程包括哪些？目的如何？
