问答题
GTR、IGBT等过流保护中，为何要采用检测集射极电压作为保护基准？
1.如以测量集电极电流Ic为过流保护原则，当Icg测量误差为△Ic，则保护电路将在集电极电流为Icg+△Ic时才动作，但......
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问答题 GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？
问答题 试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
问答题 下图中①～⑨各保护元件及VDF、Ld的名称及作用。
