填空题 本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

问答题 电路图中，C1、C3和CE的容量足够大，晶体管的β＝50，rbb’＝200Ω，VBEQ＝0.7V，RS＝2kΩ，RB1＝25kΩ，RB2＝5kΩ，RC＝5kΩ，RL＝5kΩ，RE1＝1.7kΩ，RE2＝300Ω，VCC＝12V。计算： （1）电路的静态工作点； （2）电压放大倍数AuS、输入电阻Ri和输出电阻RO。

问答题 如图所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，RL＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降UCES＝0V，Uo＝－10V。 （1）合理连接反馈电阻R2； （2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率Pom； （3）估算单个三极管的最大集电极耗散功率PCM值。