填空题
干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。
残余气体质谱分析、等离子室光发射谱分析和激光干涉
问答题 实用的等离子体刻蚀工艺必须满足哪些条件？
填空题 离子注入掺杂剂量偏差的原因主要来源于：（）、（）和可能的（）。 例如：当作28Si+注入时，可能有真空系统中剩余气体产生的（）也会同时注入。
填空题 Al栅CMOS的极限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工艺
