问答题
给出E/R反相器的电路结构，分析其工作原理及传输特性，并计算VTC曲线上的临界电压值。
问答题 请画出晶体管的ID—VDS特性曲线，指出饱和区和非饱和区的工作条件及各自的电流方程（忽略沟道长度调制效应和短沟道效应）。
问答题 为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
问答题 什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？
