判断题 若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。

判断题 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。

判断题 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。