问答题
比较同等掺杂浓度多晶硅和单晶硅电阻率的大小？解释不同的原因。
相同掺杂杂质即使浓度相同多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高。这是因为多晶硅石油晶粒和晶界组成，在晶粒内部的掺杂原子和在单晶......
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问答题 SiO2作为保护膜时为什么需要采用低温工艺？目前低温SiO2工艺有哪些方法？它们降低制备温度的原理是什么？
问答题 薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？
问答题 在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩散多长时间？然后，进行湿氧化，氧化层厚0.2μm时，结深是多少？（湿氧速率很快， 短时间的氧化，忽略磷向硅内部的推进）
