问答题
在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩散多长时间？然后，进行湿氧化，氧化层厚0.2μm时，结深是多少？（湿氧速率很快， 短时间的氧化，忽略磷向硅内部的推进）
问答题 什么是沟道效应？如何才能避免？
问答题 掺氯氧化为何对提高氧化层质量有作用？
问答题 薄层氧化过程需注意哪些要求？ 现采用的工艺有哪些？
