问答题
设计一个CMOS反相器， NMOS：VTN=0.6V μNCOX=60uA/V2 PMOS：VTP=-0.7V μPCOX=25uA/V2 电源电压为3.3V，LN=LP=0.8um
此CMOS反相器制作工艺允许VTN、VTP的值在标称值有正负15%的变化，假定其他参数仍为标称值，求VM的上下限。
问答题 求VM=1.4V 时的WN/WP。
问答题 采用0.35um工艺的CMOS反相器，相关参数如下： VDD=3.3V NMOS：VTN=0.6V μNCOX =60uA/V2 （W/L）N=8 PMOS：VTP=-0.7V μpCOX =25uA/V2 （W/L）P=12 求电路的噪声容限及逻辑阈值。
问答题 考虑一个具有如下参数的CMOS反相器电路： VDD=3.3V VTN=0.6V VTP=-0.7V KN=200uA/V2 Kp=80uA/V2 计算电路的噪声容限。
