填空题 （）称为沟道效应，可以用（）、（）和（）来避免。其中，（）是最常用的方法。

填空题 注入离子的射程主要由（）决定。确定注入离子分布的主要参数是（）及其（）。注入离子分布的一级近似为（）。可写成：

填空题 CMOS集成电路的栅氧化层要求：（）。通常用（）氧化降低其界面态密度，用（）氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。