填空题
肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电阻可以低到10-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现（），所以，源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于（）。
二极管特性；金属功函数和半导体表面功函数；线性；欧姆接触；1020/cm3
填空题 金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度 低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度 高于（）时 可实现（）。
填空题 半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。
填空题 免可控硅效应的方法从（）寄生管的总增益，以及消除寄生晶体管出发，主要有： 1. （）； 2. （）； 3. 使用可以吸收注入电荷的（）； 4. （）； 5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的产生。
