填空题
光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。
光刻机的分辨率、光刻胶的种类、光刻胶的厚度、光刻胶的对比度；高；高
填空题 前烘的目的是（）使胶膜中的溶剂只有初始浓度的（）。从而，使胶的（）性能稳定。对正胶，前烘过度会使非曝光区的胶（）；前烘不足，会使胶的感光度（），对比度（），线条边缘不陡直。所以，必须严格控制前烘的（）和（）。
填空题 光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）； 曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。
填空题 光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。
