问答题
离子注入后的RTA流程
1、晶圆进入 2、温度急升 3、温度趋稳 4、退火 5、晶圆冷却 6、晶圆退出
问答题 氮化硅在IC芯片上的用途
问答题 影响扩散工艺中杂质分布的因素
问答题 简述栅氧化层生长的典型干法氧化工艺流程
