问答题
列举出几种pn结的形成方法并说出平面工艺的特点
问答题 描述分立器件和集成电路的区别
问答题 解释说明自对准栅工艺流程,为什么当图形化尺寸小到0.18um时,使用钴硅化物取代钛硅化物?为什么当图形化尺寸小到65nm时,使用镍硅化物取代钴硅化物?
问答题 简述CMOS IC工艺中的三种阱区形成工艺