填空题
要实现金属互连线与Si的良好欧姆接触，还必须做（）处理。为了避免铝钉扎和电迁移现象，常用（）、（）合金和（）替代纯铝。铝合金化工艺的条件是：（）
合金化；Al-Si；Cu-Al；Cu；450℃，30分，N2/H2（4：1）
填空题 肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电阻可以低到10-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现（），所以，源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于（）。
填空题 金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度 低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度 高于（）时 可实现（）。
填空题 半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。
