填空题
圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。
方向性差，刻蚀速率慢，过刻蚀性能好；去胶；方向性好，刻蚀速率高；SiO2、Al、Si3N4；多晶硅
填空题 干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。
问答题 实用的等离子体刻蚀工艺必须满足哪些条件？
填空题 离子注入掺杂剂量偏差的原因主要来源于：（）、（）和可能的（）。 例如：当作28Si+注入时，可能有真空系统中剩余气体产生的（）也会同时注入。
