填空题
CMOS工艺中,阱注入的计量为()量级;源、漏注入的剂量为()量级;开启调整的注入剂量为()量级 ;场注入的的剂量为()量级;离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为()量级。
1012/cm2;1015/cm2;1011/cm2;1013/cm2;1018/cm2
填空题 浅结制备的常用方法是:()、()加()。而()型浅结比()型浅结更难制备。P型浅结常用()、()、()来获得。
填空题 为了降低注入离子对衬底由于热沉积产生的温升,在高剂量、大束流离子注入时,可以采用()扫描方式,在低剂量、小束流时一般用()方式注入。
填空题 离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用(),N型掺杂的源气常用()和()。对GaAs做N型掺杂的源气常用()