填空题 CMOS工艺中，阱注入的计量为（）量级；源、漏注入的剂量为（）量级；开启调整的注入剂量为（）量级 ；场注入的的剂量为（）量级；离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为（）量级。

填空题 浅结制备的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型浅结比（）型浅结更难制备。P型浅结常用（）、（）、（）来获得。

填空题 为了降低注入离子对衬底由于热沉积产生的温升，在高剂量、大束流离子注入时，可以采用（）扫描方式，在低剂量、小束流时一般用（）方式注入。