问答题
列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。
1.对下层栅氧化层具有高的选择比 2.非常好的均匀性和可重复性。 3.高度的各向异性
问答题 哪种化学气体通常用来刻蚀多晶硅，为什么这种化学气体替代了氟基化学气体？
问答题 描述平板反应器。
问答题 二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？
