填空题
单晶硅太阳能电池采用（）表面来增加表面积，用沉积Si3N4作（）膜来降低入射光的反射，用在扩散层表面氧化生长（）nm的钝化层，改变表面层硅原子价键失配，减少表面复合，提高短路电流。用PECVD法沉积Si3N4时，反应中大量的原子H可以降低钝化层与表层硅界面的（）
绒化；减反膜；10~25；介面态
填空题 圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。
填空题 干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。
问答题 实用的等离子体刻蚀工艺必须满足哪些条件？
