填空题
光刻工艺的主要工序有:()组成。
涂胶、前烘、对位、曝光、显影、坚膜、介质刻蚀、去胶
填空题 快速热处理设备(RTP)的主要热交换机制是(),常用热源是()。RTP的主要优点是 ()。
填空题 CMOS工艺中,阱注入的计量为()量级;源、漏注入的剂量为()量级;开启调整的注入剂量为()量级 ;场注入的的剂量为()量级;离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为()量级。
填空题 浅结制备的常用方法是:()、()加()。而()型浅结比()型浅结更难制备。P型浅结常用()、()、()来获得。